Karbide tas-silikon tal-karbonju

Silicon Carbide għandu densità relattiva ta '3.20 u ebusija ta' 9.5. Għandu punt ta 'tidwib għoli ta' 2,700 grad, li jagħmilha materjal taċ-ċeramika reżistenti għal temperatura għolja. Barra minn hekk, is-silikon karbur għandu konduttività termali tajba u huwa konduttur eċċellenti tas-sħana.

Silicon Carbide għandu stabbiltà kimika qawwija. Huwa inerti u reżistenti għall-korrużjoni u huwa prattikament impermeabbli għal kwalunkwe kimika. Il-karbur tas-silikon huwa semikondutturi fin-natura u għalhekk jista 'jiflaħ saħħiet għoljin ta' kamp elettriku mingħajr telf ta 'proprjetajiet.

Minħabba l-punt ta 'tidwib għoli tiegħu, l-istabbiltà kimika u r-reżistenza għall-vibrazzjoni termali, il-karbur tas-silikon huwa komunement użat fil-produzzjoni ta' materjali refrattarji, bħal pannelli tal-barrakka għall-fran u l-inforra tat-tank tal-elettroliżi tal-aluminju. Barra minn hekk, il-karbur tas-silikon jintuża fil-manifattura ta 'abrażivi, li huma adattati għall-ipproċessar tal-ħġieġ, ċeramika, ġebla, ħadid fondut, karbur simentat u materjali oħra.

Silicon Carbide għandu firxa wiesgħa ta 'applikazzjonijiet f'apparat elettroniku, speċjalment fil-qasam tal-elettronika tal-enerġija. Ħafna drabi jintuża fil-manifattura ta 'apparati ta' semikondutturi ta 'enerġija għolja bħal MOSFETS, BJTS, JFETS u dijodi ta' barriera Schottky. Dawn l-apparati għandhom rwol importanti f'vetturi elettriċi, vetturi ibridi, ferroviji b'veloċità għolja, drives tal-muturi industrijali u konverżjoni ta 'enerġija.